Norman Böttcher: Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie, Kartoniert / Broschiert
Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie
Buch
- Der inverse Thyristor
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Aktueller Preis: EUR 84,99
- Verlag:
- Springer-Verlag GmbH, 01/2026
- Einband:
- Kartoniert / Broschiert
- Sprache:
- Deutsch
- ISBN-13:
- 9783658501501
- Artikelnummer:
- 12491390
- Umfang:
- 211 Seiten
- Sonstiges:
- XV, 211 S. 105 Abbildungen
- Erscheinungstermin:
- 8.1.2026
Klappentext
Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.
Anmerkungen:
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Norman Böttcher
Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie
Aktueller Preis: EUR 84,99
