Kirk Prall: CMOS Plasma and Process Damage, Gebunden
CMOS Plasma and Process Damage
Buch
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(United States of America): EUR 19,90
- Verlag:
- Springer, 05/2025
- Einband:
- Gebunden
- Sprache:
- Englisch
- ISBN-13:
- 9783031890284
- Artikelnummer:
- 12312135
- Umfang:
- 488 Seiten
- Gewicht:
- 891 g
- Maße:
- 241 x 160 mm
- Stärke:
- 32 mm
- Erscheinungstermin:
- 17.5.2025
- Hinweis
-
Achtung: Artikel ist nicht in deutscher Sprache!
Klappentext
Chapter 1. BACKGROUND.- Chapter 2. THE ANTENNA EFFECT.- Chapter 3. DIODE AND TRANSISTOR PROTECTION.- Chapter 4. SIGNATURES OF PROCESS DAMAGE.- Chapter 5. ELECTRICAL SIGNATURES OF PROCESS DAMAGE.- Chapter 6. LATENT DAMAGE AND RELIABILITY DEGRADATION.- Chapter 7. ATOMIC-LEVEL DEFECTS AND ELECTRICAL EFFECTS.- Chapter 8. TECHNOLOGY SPECIFIC PROCESS DAMAGE.- Chapter 9. COMMON SOURCES OF PROCESS DAMAGE.- Chapter 10. INLINE PROCESS DAMAGE MEASUREMENTS.- Chapter 11. PROCESS DAMAGE TEST STRUCTURES.- Chapter 12. DESIGN RULES RELATED TO PROCESS DAMAGE .- Chapter 13. PARAMETRIC DAMAGE TESTING STRATEGY AND PROCEDURES.- Chapter 14. THE ROLE OF HYDROGEN.- Chapter 15. METALLIC DEFECTS.- Chapter 16. MOBILE ION CONTAMINATION.- Chapter 17. FIXED CHARGE.
Kirk Prall
CMOS Plasma and Process Damage
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